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| 项目 | 测试内容 | 测试方法 | 样品要求 |
|---|---|---|---|
| 6吋线Si/SiC 工艺加工 | 高温离子注入 | 常规注入1个注入条件 | 4英寸、6英寸，4，6寸片靶材Al N P B Ar O C 六寸八寸H He |
| 高温离子注入 | 带角度注入1个条件加价500元 | 4英寸、6英寸 | |
| 高温离子注入 | 能量大于等于360Kev 1个条件加价500元 | 4英寸、6英寸 | |
| 高温离子注入 | 剂量大于等于1E14 1个条件加价500元 | 4英寸、6英寸 | |
| 高能氢离子注入 | 规注入1个注入条件 | 6英寸、8英寸 |
|
| 碳化硅刻蚀 | 常规刻蚀（＜1um） | 6英寸 | |
| 碳化硅刻蚀 | 刻蚀深度＞1um，每超过1um，加收100元 | 6英寸 | |
| 氧化硅刻蚀 | 刻蚀深度＞2um，每超过1um，加收100元 | 6英寸 | |
| 氧化硅刻蚀 | 常规刻蚀 | 6英寸 | |
| 氮化硅刻蚀 | 常规刻蚀 | 6英寸 | |
| 氮化硅刻蚀 | 刻蚀深度＞1500A，每超过1000A，加收100元 | 6英寸 | |
| 多晶硅刻蚀 | 常规刻蚀 | 6英寸 | |
| 多晶硅刻蚀 | 刻蚀深度＞1000A，每超过500A，加收100元 | 6英寸 | |
| 金属刻蚀 | 常规刻蚀 | 6英寸 | |
| 金属刻蚀 | Al刻蚀深度＞1.5um，每超过1um，加收100元 | 6英寸 | |
| 金属刻蚀 | Ti刻蚀深度＞1000A，每超过1000A，加收100元 | 6英寸 | |
| 激光退火 | 常规退火 | 6寸、8寸硅片 | |
| 碳膜灰化 | 常规工艺 | 4寸、6寸 | |
| 碳膜去除 | 常规工艺 | 4寸、6寸 | |
| 光刻 | 步进式光刻机 | 4寸、6寸 | |
| 碳膜双面涂胶 | 常规工艺 | 4寸、6寸 | |
| AFM | tapping模式测试 | 4寸、6寸 | |
| 高温退火 | 1650℃，30分钟 | 4寸、6寸 | |
| 高温退火 | 退火温度每增加10摄氏度，加价50元; | 4寸、6寸 | |
| 高温退火 | 退火时间每增加1分钟，加价50元 | 4寸、6寸 | |
| 高温栅氧 | 60nm及以下，Ar退火30min标准工艺计算 | 4寸、6寸 | |
| 高温栅氧 | 60nm及以下，NO退火30min标准工艺计算 | 4寸、6寸 | |
| 高温栅氧 | 60nm及以下，N2O退火30min标准工艺计算 | 4寸、6寸 | |
| BOE清洗 | 每批 | 4寸、6寸 | |
| Al腐蚀 | 每批 | 4寸、6寸 | |
| Ti腐蚀 | 每批 | 4寸、6寸 | |
| 3#液 | 每批 | 4寸、6寸 | |
| Ni腐蚀 | 每批 | 4寸、6寸 | |
| 1#液 | 每批 | 4寸、6寸 | |
| 2#液 | 每批 | 4寸、6寸 | |
| SiC减薄 | 每片减薄量100um及以下蓝膜 | 4寸、6寸、8寸 | |
| SiC减薄 | 每片减薄量100um及以下UV膜 | 4寸、6寸、8寸 | |
| SiC减薄 | 每多磨100um，加价1000元 | 4寸、6寸、8寸 | |
| Si减薄 | 蓝膜每片 | 4寸、6寸、8寸 | |
| Si减薄 | UV膜每片 | 4寸、6寸、8寸 | |
| 蒸发 | Ag 1um每20片 | 4寸、6寸 | |
| 蒸发 | Ti 1um每20片 | 4寸、6寸 | |
| 蒸发 | Ni 1um每20片 | 4寸、6寸 | |
| 蒸发 | Al 1um每20片 | 4寸、6寸 | |
| 溅射 | Ag 1um每片 | 4寸、6寸、8寸 | |
| 溅射 | Ti 1um每片 | 4寸、6寸、8寸 | |
| 溅射 | Ni 1um每片 | 4寸、6寸、8寸 | |
| 溅射 | Al 1um每片 | 4寸、6寸、8寸 | |
| RTA | Ar2000sccm 2min | 6寸 | |
| 干法去胶 | 常规工艺 | 6寸 | |
| 扫描电镜 | 每小时 | 6寸 | |
| 激光打标 | SiC打标 | 6寸 | |
| SiO2成膜（PECVD） | 2um及以下 | 6寸 | |
| SiN成膜（PECVD | 1.5um及以下 | 6寸 | |
| PI钝化 | 1200V标准工艺 | 6寸 | |
| 椭偏仪 | 每片 | 6寸 | |
| 电学性能测试 | 常温常规测试 | 6寸 | |
| 缺陷分析系统 | 4寸、6寸、8寸 |
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