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项目 测试内容 测试方法 样品要求
6吋线Si/SiC 工艺加工 高温离子注入 常规注入1个注入条件 4英寸、6英寸
高温离子注入 带角度注入1个条件加价500元 4英寸、6英寸
高温离子注入 能量大于等于360Kev 1个条件加价500元 4英寸、6英寸
高温离子注入 剂量大于等于1E14 1个条件加价500元 4英寸、6英寸
高能氢离子注入 规注入1个注入条件 6英寸、8英寸
碳化硅刻蚀 常规刻蚀(<1um) 6英寸
碳化硅刻蚀 刻蚀深度>1um,每超过1um,加收100元 6英寸
氧化硅刻蚀 刻蚀深度>2um,每超过1um,加收100元 6英寸
氧化硅刻蚀 常规刻蚀 6英寸
氮化硅刻蚀 常规刻蚀 6英寸
氮化硅刻蚀 刻蚀深度>1500A,每超过1000A,加收100元 6英寸
多晶硅刻蚀 常规刻蚀 6英寸
多晶硅刻蚀 刻蚀深度>1000A,每超过500A,加收100元 6英寸
金属刻蚀 常规刻蚀 6英寸
金属刻蚀 Al刻蚀深度>1.5um,每超过1um,加收100元 6英寸
金属刻蚀 Ti刻蚀深度>1000A,每超过1000A,加收100元 6英寸
激光退火 常规退火 6寸、8寸硅片
碳膜灰化 常规工艺 4寸、6寸
碳膜去除 常规工艺 4寸、6寸
光刻 步进式光刻机 4寸、6寸
碳膜双面涂胶 常规工艺 4寸、6寸
AFM tapping模式测试 4寸、6寸
高温退火 1650℃,30分钟 4寸、6寸
高温退火 退火温度每增加10摄氏度,加价50元; 4寸、6寸
高温退火 退火时间每增加1分钟,加价50元 4寸、6寸
高温栅氧 60nm及以下,Ar退火30min标准工艺计算 4寸、6寸
高温栅氧 60nm及以下,NO退火30min标准工艺计算 4寸、6寸
高温栅氧 60nm及以下,N2O退火30min标准工艺计算 4寸、6寸
BOE清洗 每批 4寸、6寸
Al腐蚀 每批 4寸、6寸
Ti腐蚀 每批 4寸、6寸
3#液 每批 4寸、6寸
Ni腐蚀 每批 4寸、6寸
1#液 每批 4寸、6寸
2#液 每批 4寸、6寸
SiC减薄 每片减薄量100um及以下蓝膜 4寸、6寸、8寸
SiC减薄 每片减薄量100um及以下UV膜 4寸、6寸、8寸
SiC减薄 每多磨100um,加价1000元 4寸、6寸、8寸
Si减薄 蓝膜每片 4寸、6寸、8寸
Si减薄 UV膜每片 4寸、6寸、8寸
蒸发 Ag 1um每20片 4寸、6寸
蒸发 Ti 1um每20片 4寸、6寸
蒸发 Ni 1um每20片 4寸、6寸
蒸发 Al 1um每20片 4寸、6寸
溅射 Ag 1um每片 4寸、6寸、8寸
溅射 Ti 1um每片 4寸、6寸、8寸
溅射 Ni 1um每片 4寸、6寸、8寸
溅射 Al 1um每片 4寸、6寸、8寸
RTA Ar2000sccm 2min 6寸
干法去胶 常规工艺 6寸
扫描电镜 每小时 6寸
激光打标 SiC打标 6寸
SiO2成膜(PECVD) 2um及以下 6寸
SiN成膜(PECVD 1.5um及以下 6寸
PI钝化 1200V标准工艺 6寸
椭偏仪 每片 6寸
电学性能测试 常温常规测试 6寸
缺陷分析系统 4寸、6寸、8寸