LPCVD加工服务

一、简介

LPCVD：Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压化学气相沉积，广泛应用于SiO2、SiN、Poly-Si 沉积。

二、原理

LPCVD和所有的CVD一样，经过化学反应，在基板表面形成一非挥发性的固态薄膜。通常的化学气相沉积都包含了以下5个反应步骤：①反应物传输到基板表面；②吸附或化学吸附到基板表面；③经基板表面催化起异质间的化学反应；④气相生成物脱离基板表面；⑤生成物传输离开基板表面。

低压化学气相沉积法拥有非常均匀的阶梯覆盖性、优良的成分和结构控制、高沉积速率和输出量、较低的制程成本。另外，低压化学气相沉积并不需要载气，从而大大降低了颗粒污染。

三、技术指标

1.      最高温度：900℃；

2.      片内均匀性：<±5% ；

3.      片间均匀性：<±5%；

4.      薄膜材料：氮化硅、氧化硅、多晶硅；

5.      样品尺寸：6英寸向下兼容。

四、价格

机时费用：1500元/小时（1炉时间4-5小时。）

暂无

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