服务描述
8英寸的设备是芬兰DCA公司的P1000 III-V MBE 和S1000 SiGe MBE,总计2个生长腔台,主要用于III-V族和SiGe材料制备,包括As化物/Sb化物/SiGe及其多元化合物半导体等材料 。
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8英寸的设备是芬兰DCA公司的P1000 III-V MBE 和S1000 SiGe MBE,总计2个生长腔台,主要用于III-V族和SiGe材料制备,包括As化物/Sb化物/SiGe及其多元化合物半导体等材料 。
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