服务描述
现有制程工艺痛点
1、器件性能稳定性下降如阙值电压不稳、漏电、功耗大、失效等。
2、电学特性相关缺陷检测要求更高需检测界面态、体电荷、金属污染和杂质深能级等
如何解决?
1、能够实现在线全检晶圆电学性能的革新技术
2、具备非接触、无损、在线、快速检测全面能力的革新技术
3、能够检测次表面缺陷准确定位缺陷
什么是二谐波检测技术?
二谐波晶圆检测技术,激发光在晶圆内部激发电子空穴对通过采集分析晶圆界面和表面产生的非线性光学信号对晶圆的缺陷进行表征和诊断。
二谐波检测技术的应用有哪些?
电学特性方面:测量界面态、积累电荷
薄膜质量方面:固定电荷、陷阱电荷、移动电荷、晶格缺陷等
表面质量:表面均匀度
材料质量的检测 适用于多种材料如SiO、HfO2、ALO;等介质材料;si、siGe、Si等多种半导体材料;以及TiN、TaN等多种me 电学缺陷的在线 监测 在线检测和评估电学特性相关的晶圆缺陷如界面态、固定电荷、体电荷、金属污染等。 适用于多种器件 对MOS、DRAM、NAND、CIS、SIC各类器件的特定工艺均可适用。 适用于多种工艺 对如薄膜沉积、离子注入、刻蚀等工艺均适用。 适用于多种制程 对于逻辑芯片可适用于各种成熟和先进等制程(包括FINFET和GAA);对于存储芯片可适用于各种3DNAND和DRAM等制程
项目介绍
能够实现在线全检晶圆电学性能的革新技术,具备非接触、无损、在线、快速检测全面能力的革新技术,能够检测次表面缺陷,准确定位缺.陷
样品要求
尺寸>10mm*10mm,或标准晶圆
结果展示
1、时变二谐波检测
相同测量条件下的时变二谐波信号实测图,用途: 薄膜电性检测
2、变方位角二谐波检测
P偏振变方位角测试,解耦体电荷和界面态,评估界面均匀度。
3、扫描二谐波检测
晶圆全域测量,表征晶圆总体电学特性,以及各类电学缺陷;评估晶圆的电学特性均匀性。
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