低温HERA-DLTS高能分辨率深能级瞬态谱（DLTS）

周期

3-5个工作日

设备

HERA-DLTS FT 1230

测试价格

面议

服务描述

测试须知

1、偏执电压

2、脉冲电压

3、脉冲时间

4、测试模式

5、器件结构（P或是n这个是至少的信息）测试电极面积（cm-2），

如果提供相关文献，则视为提供参数，其他文献中没有提到的参数，则由经验补充。

风险需知

1 由于DLTS测试属于非标准测试，和Raman 和XRD 不同，不保证测试样品有有效的测试结果。

2 测试有一定探针损伤，脆薄样品应提前告知，氦气降温台有震动（10K低温-300K）

3 测试样品不应含有放射性小于（0.5 μSv/小时）

4 含有低毒、重金属样品、需要额外加费

设备参数

分辨率：1*10^8 atoms/cm3

脉冲发生器

电压范围：±20.4V（±102opt.）

电压分辨率：0.625mV

最大电流：＞±15mA

脉冲宽度：1μs-1000s

电容表

HF信号：100Mv@1MHz(20mV optional)

范围[pF]：3303003000(自动或手动)

电容补偿：0.1-3000 pF（自动或手动）

灵敏度：0.01 fF

电压测量

范围：±10V

灵敏度：＜1μV

输入电阻：1e6Ohm

电流测试

范围：5，从±1μA 到±10mA

灵敏度：＜1pA

瞬态记录

样品速率：2μs到2000s

样品数量：16-16384（opt.64k）

可调节抗失真滤膜

标准冷却仓

温度范围：10K-300K（氦气冷却）或80K~750K （液氮冷却）

典型性能（Schottky DiodeReverse Bias Capacitance 100pF@OV）

灵敏度：10-7T/(ND-NA)<10-5

能量精度：HT+/-3%

能量分辨率：10meV

发射率：10^-3/s

项目介绍

半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段。根据半导体P-N 结、金－半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有极高检测灵敏度(检测灵敏度通常为半导体材料中掺杂剂浓度的万分之一)的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS 谱。同时DLTS测试软件集成多种全自动的测量模式及全面的数据分析，可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布

样品要求

1cm*1cm至2.5cm*2.5cm左右，厚度小于3mm，封装样品需要给出测试管脚

结果展示

（1）b1变温扫描曲线：多种内置采样函数对每一个温度点的每一种测试条件进行采样并得到如下图所示的变温扫描曲线，由于半导体器件内部的载流子会在不同的能级上面来回跳动因此浅能级的必须要被降低能量从而避免对真正的深能级造成影响，根据载流子温度越低活跃性越差的特点进行变温扫描测试，得到DLTS变温谱线

（2）Arrhenius拟合线：对变温扫描曲线进行解析得到如图所示的Arrhenius拟合线通过对该拟合线的分析得到变温扫描测试下的深能级缺陷

（3）变电压扫描曲线：偏置电压改变

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