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半导体器件可靠性及失效分析
本专区为米格实验室在功率半导体测试可靠性与失效分析的测试评价基地,经过平台认可后,具备完整的测试能力,能够满足3300V及以下规格、包括Si基、SiC及GaN基的SBD、MOSFET、IGBT等器件及模块的电学参数测试、可靠性试验及失效分析能力,同时检测项目取得了CNAS、CMA资质,能够按照GB、GJB、IEC、AEC、JIS、MIL、JEDEC等相关标准进行测试,能够满足广大功率半导体设计、制造、封装及应用类客户的需求。

专区平台

内容简介
环境测试
温度循环实验
PPOT/UHST试验
THBS/HAST试验
高温存储寿命(HTSL)
可焊性测试
寿命与疲劳测试
反偏/栅偏试验
半导体器件失效分析
可靠性试验流程
资料下载
相关问题解答

可靠性是指产品、系统在规定的条件下,规定的时间内,完成规定功能的能力。所以说可靠性是一项重要的质量指标——可靠性可以代表质量的时间。

可靠性的意义:

(1) 高可靠性产品才能满足现代技术和生产的需要

(2) 高可靠性产品可获得高的经济效益

(3) 高可靠性产品,才有高的竞争能力

可靠性测试主要有环境试验、寿命试验等。

米格实验室整合整套半导体器件可靠性及失效分析服务,为企业及研究人员提供一站式的服务。加快科研进程,助力科研发展。

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  • 米格实验室-可靠性测试委托单.doc
    资料来源:
    2020-02-11