1.在最佳工作距离的分辨率：≤0.6 nm @ 2 kV（二次电子成像分辨率）,≤0.7 nm @ 1 kV（二次电子成像分辨率）在双束交叉点的分辨率：≤0.6 nm @ 15 kV（二次电子成像分辨率）≤0.9 nm @ 5 kV（二次电子成像分辨率）≤1.2 nm @ 1 kV（二次电子成像分辨率);2. 电子束着陆电压：20 V ～ 30 kV; 3. 离子束加速电压：500 V ～ 30 kV; 4. 离子束束流强度：0.1 pA ～ 65 nA; 5. 离子束分辨率：2.5 nm @ 30 kV（使用单边测量法）≤4.0 nm @ 30 kV（利用统计测量法）; 6. 沉积及刻蚀辅助材料：Pt、C、TEOS、W、XeF2 7、配备有纳米机械手; 8、配备有防样品被空气氧化的传输装置

1.二次电子、背散射电子以及镓离子成像;2. 三维重构和数据分析;3. TEM样品的制备;4. 半导体元器件、集成电路的修补和失效分析; 5. EDS能谱分析（点、线、面）;

集成电路、新材料等

1.集成电路线路修改；2. 透射样品切割，包括硅基、纳米颗粒、陶瓷颗粒等

面议