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聚焦离子束-电子束双束设备 美国FEI公司
设备型号:Helios NanoLab 460HP
厂       家:美国FEI公司
所属地区:天津
  • 技术参数:

    1.在最佳工作距离的分辨率:≤0.6 nm @ 2 kV(二次电子成像分辨率),≤0.7 nm @ 1 kV(二次电子成像分辨率)在双束交叉点的分辨率:≤0.6 nm @ 15 kV(二次电子成像分辨率)≤0.9 nm @ 5 kV(二次电子成像分辨率)≤1.2 nm @ 1 kV(二次电子成像分辨率);2. 电子束着陆电压:20 V ~ 30 kV; 3. 离子束加速电压:500 V ~ 30 kV; 4. 离子束束流强度:0.1 pA ~ 65 nA; 5. 离子束分辨率:2.5 nm @ 30 kV(使用单边测量法)≤4.0 nm @ 30 kV(利用统计测量法); 6. 沉积及刻蚀辅助材料:Pt、C、TEOS、W、XeF2 7、配备有纳米机械手; 8、配备有防样品被空气氧化的传输装置

    功能特色:

    1.二次电子、背散射电子以及镓离子成像;2. 三维重构和数据分析;3. TEM样品的制备;4. 半导体元器件、集成电路的修补和失效分析; 5. EDS能谱分析(点、线、面);

    样品要求:

    应用领域:

    集成电路、新材料等

    服务范围:

    1.集成电路线路修改;2. 透射样品切割,包括硅基、纳米颗粒、陶瓷颗粒等

    收费标准:

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米格实验室
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