1.应用领域：

面向mini、micro-LED、垂直LED结构、自支撑GaN单晶衬底方面，利用紫外脉冲光加工的方式通过背面从衬底一面入射到GaN和蓝宝石界面处将一层GaN分解，产生Ga和N2，从而将GaN材料从衬底上面剥离的一种工艺。

2. 技术指标：

衬底尺寸：小片、2寸、4寸及6寸；

薄膜厚度：1um～500um；

表面结构：平面blank图形、已经形成金属化结构的图形；

激光波长：248nm，266nm或者其他紫外波段激光器；

扫描方式：大面积扫面、局部扫描方式；

载体类型：电镀Cu、PVD Cu薄、Si 基键合片及其他衬底；

激光能量：从200～600mJ/cm2不等。

3. 测试评价：

扫描电镜：观察激光剥离衬底与GaN界面，观察剥离效果；

XPS分析：分析剥离后的被剥离表面的化学价状态；

FIB分析： 定点纵切，获取异常点的剥离状况分析。

4. 服务价格：

后续按照根据难度和加工要求，评估收费，一般从500/次起。

5. 参考文献：

方圆，郭霞等，激光剥离技术实现GaN薄膜从蓝宝石衬底移至Cu衬底。激光与红外，2007，37（1）：62-64